推出55奈米BCD平台 攻行置用源市

晶代工今天宣布，推出55奈米互散金氧半（BCD）平台，下世代行置、消子、用工用更高的源效率系整合。

布新稿表示，BCD技能在一晶片上整合比、位力元件，泛用於源管理混合IC。55奈米BCD平台提供多元化源IC用的解方案，以足不同用域效能可靠度的需求。

指出，非磊晶程具高性比方案，行及消置提供源效率性能。磊晶程符合AEC-Q100 Grade 0，支援150V操作，提升用子的可靠性。

至於上覆矽（SOI）程，表示，符合AEC-Q100 Grade 1，具抗特性、高速作超低漏性能，合高用工使用。

技研副理徐世杰，推出55奈米BCD平台，可完善的特殊程品合，化在源管理市的。