推55奈米BCD平台 攻子、用源

今（22）日宣布推出全新的55奈米BCD平台，下世代行置、消性子、用工用更高的源效率系整合。（／路透社／志影像）

[NOWnews今日新] 晶代工子今（22）日宣布推出全新的55奈米BCD （Bipolar-CMOS-DMOS）平台，下世代行置、消性子、用工用更高的源效率系整合，平台攻子品日益的源管理需求而，更小的晶片面、更低的功耗卓越的抗表，予源路更高的活度可靠性。

全新的55奈米BCD平台提供多元化源IC用的解方案，以足不同用域效能可靠度的需求。

非磊晶（Non-EPI）程：具特元件架的高性比方案，行及消性置提供的源效率性能。

磊晶（EPI）程：符合最格的AEC-Q100 Grade 0，支援高150V操作，提升在端境下用子的可靠性。

上覆矽（SOI）程：具卓越的抗特性、高速作超低漏性能，非常合高用工使用。

技研副理徐世杰表示，55奈米BCD平台的推出，象徵在BCD技布局上的重要里程碑，更一步完善的特殊程品合，化在源管理市的。

徐世杰指出，然55奈米BCD程已在市上量多年，推出全新且全面的55奈米BCD解方案，具卓越的元件特性，助客打造新源解方案，用涵智慧型手、穿戴式置、用、智慧家庭智慧工等域。

表示，已建界最完整且成熟的BCD技合，程跨0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.11微米乃至55奈米，提供具差化的解方案，藉著能提供泛的需求、富的IP源完善的支援，加速客品程，化在智慧源混合市的力，持客共同期成。

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