媒：三星2奈米良率提升至七成 指台座

商媒｜者任／合外

南科技巨三星子（Samsung Electronics）於9月底正式2奈米GAA（）晶量，首批用於次世代Exynos 2600晶片。根《朝日》，三星半事部技宋赫（Song Jae-hyuk）在中表示，2奈米程展「利」，似乎暗示三星即迎在晶代工域的捩。

三星近年在晶代工市遭台制，全球市占甚至一度跌破20%，著2奈米GAA技向成熟，三星正重整旗鼓。悉，三星已2奈米良率目50%上至70%，且有望在年底前成。知情人士指出：「著2奈米晶片入全面量，三星已利成定的良率性能指。」

次2奈米用全新的GAA架，取代FinFET技，可著提升功耗效率晶密度。三星未年完成第二代第三代（SF2P+）程，以持台在先的力。

另一方面，三星首款用2奈米GAA技的Exynos 2600晶片已完成部，在AI算效能上果A19 Pro高通Snapdragon 8 Elite Gen 5高出6倍；若最商用果表一致，三星有望重新回部分旗市的望。

界分析指出，2奈米程的量成功不象徵三星在技上的，也改全球晶代工局。目前台仍於2025年量2奈米FinFlex程，若三星能先定供，成首家商化2奈米GAA的晶代工，台半格局挑。