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工研院x日本新ZYRQ 全球首水浸式冷技


工研院x日本新ZYRQ 全球首水浸式冷技

▲工研院日本新公司ZYRQ展策略合作,共同新世代「水浸式冷技」,以保、能高效能核心目,解AI晶片高功耗造成的散瓶。左起日本ZYRQ社井大、工研院械所副所秉祥。(/工研院提供)


【焦/者蔚舟】著高效能算(High Performance Computing;HPC)及生成式AI快速展,料中心半晶片散的需求持攀升。工研院於23日宣布,在部技司科技案助下,已日本新公司ZYRQ展策略合作,共同新世代「水浸式冷技」,以保、能高效能核心目,解AI晶片高功耗造成的散瓶。ZYRQ由日本超理器造商PEZY Computing技所立,掌握日本高效能算用通路系整合能量,是技切入日本半供的重要策略夥伴。此技不展在高效能色算域的新力,也方跨作新里程碑。未,成果有助推料中心小型化分散化布局,AI代的永算建立新典,一步化的力。


工研院械系研究所副所秉祥表示,工研院全球首的「水浸式冷技」最大新在於首度以水作冷介。相於界普遍使用的油或氟化物,水不毒、零污染,具零碳排的力,且完全回收再利用的,展出高度的永性保值。透特殊散元件、流配方以及系化整合,可有效降低散所需之耗能,成功「用更少的,跑出更多算力」的目,不大幅少料中心力冷的依,也有效降低成本,於因AI代高速增的算需求,具有指性的突破意。


日本ZYRQ社井大表示,ZYRQ以日本高效能算商Pezy Computing在液浸冷域的研究成果基,藉由工研院技合作出以地下水冷解方案,以此技助力超系身全球「TP500」排行榜。面生成式AI端用的高高能耗的挑,ZYRQ向以水核心的浸式冷系,透工研院的散元件流配方,工研院三度在日本合,系能有效GPU表面度控制在30℃以下,可支援每立方公尺200千瓦功率。同,工研院及用金3D列印冷板技,有效降低材使用、重量,可一步提升能源效率系建置性。


此次日合作的水浸式冷技,初步已能持99.9%定的晶片算效能,冷效率行液冷系提升逾倍,力使用效率(Power Usage Effectiveness;PUE)降至1.015,且此系相於有冷系化,可大幅降低建置成本。未,技有望足日本九州半中散技的缺口,在料中心的入建方面展高用值。


工研院持聚焦市新值,依《2035技策略》研方向,在「永境」用域展千瓦晶片散技,助在高效能算域提升力。

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