智威科技以高效散封技而出 引GaN氮化用新代
【警政 薛秀 /新北】化合物半（Compound Semiconductor，SiC/GaN）藉越能效果，已成未功率半展焦，期今後年年合成率（CAGR）可35%以上。然而，管其磊晶成到元件作的技用均已突破，散及封型式仍致用效果不符期待，成性大打折扣。
尤其GaN功率元件，因材料散差及因素，具高特性佳、成本力，市有率仍不高，甚至於SiC（碳化矽）。智威科技董事宇指出，解此靠晶片化不，需先封切入，也是全球主要者重局域。目前，智威科技已家先封技解散及耗能，布局全球第三代半大。
宇表示，有封形式的核心痛，常封形式（如附一所示）存在大：(1)面有金接，法面散；(2)金接接（PAD）分散，後接基板或模，易因接不良致性能、散受，甚至直接失效。
智威科技（Zowie Technology）透材料程新，以系性思打造功率半新封技平台，化晶片到系的每一接（Joints），入全新材料，GaN晶片至致。技不是功率元件封及模（Power Component and Module Packaging）域的新改，更是典移（Paradigm shift）的重要里程碑。
其核心技特色包括：
晶片接方式革新：用大面接（soldering），取代打（wire bonding）接，大幅提升率效率，SiC效能的提升可50-100%。
散基板升：使用全面高散基板，且晶片上下面均直接接基板（DCB），最佳散模式。其中，智威封散基板面比（高散基板面/封面）高150-180%，相封的40-120%大幅提升，散效果著化。
如附二所示，智威科技的「型式一封」已解面散，「型式二封」透化接Pad，大幅提升性能可靠度。技除整合高特性外，更入最新材料，最性能突破。
目前，智威科技系列封品已完成大，其散效果於有所有封技，甚至突破期以法通的用度。未，品泛用於用、伺服器源等高可靠度要求的高成性市。
宇指出，智威科技以特殊高散封技核心，持拓展新用，透合作夥伴子展提供，目前已有多成熟用落地：解固式容：已利量，月量500，且正；AI晶片周容解方案：藉位超高容值，解AI晶片周空，其中820uF格（市主力格470/560uF）已入客用量出；全球格：1,000uF格容已正式推出，正入客段，也是新型功率半的。
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- 者：警政 薛秀
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