智威科技以高效散熱封裝技術脫穎而出 引領GaN氮化鎵應用新時代

【警政時報 薛秀蓮 /新北報導】化合物半導體（Compound Semiconductor，SiC/GaN）憑藉優越節能效果，已成為未來功率半導體發展焦點，預期今後幾年年複合成長率（CAGR）可達35%以上。然而，儘管其從磊晶成長到元件製作的技術與應用均已突破，散熱及封裝型式問題仍導致應用效果遠不符產業期待，成長性大打折扣。

尤其GaN功率元件，因材料散熱係數較差及結構因素，雖具高頻特性佳、成本潛力優勢，市場佔有率仍不高，甚至遠遜於SiC（碳化矽）。智威科技董事長鍾鵬宇指出，解決此問題僅靠晶片優化遠遠不夠，需從先進封裝切入，這也是全球主要競爭者重點佈局領域。目前，智威科技已憑獨家先進封裝技術解決散熱及耗能問題，並布局全球第三代半導體大廠。

鍾鵬宇表示，現有封裝形式的核心痛點，常見封裝形式（如附圖一所示）存在兩大關鍵問題：(1)僅單面有金屬連接，無法實現雙面散熱；(2)金屬導接接點（PAD）分散，後續銲接基板或組裝模組時，易因導接不良導致性能、散熱受損，甚至直接失效。

智威科技（Zowie Technology）透過材料與製程創新，以系統性思維打造功率半導體新封裝技術平台，優化從晶片到系統的每一層接點（Joints），並導入全新材料，將GaN晶片優勢發揮至極致。該技術不僅是功率元件封裝及模組（Power Component and Module Packaging）領域的創新改變，更是產業典範移轉（Paradigm shift）的重要里程碑。

 其核心技術特色包括：

晶片導接方式革新：採用大面積銲接（soldering），取代傳統打線（wire bonding）導接，大幅提升導電率與熱傳導效率，經實測對SiC效能的提升可達50-100%。

散熱基板設計升級：使用全面積高散熱銅基板，且晶片上下兩面均直接導接銅基板（DCB），實現最佳散熱模式。其中，智威封裝散熱基板面積比（高散熱基板面積/封裝面積）高達150-180%，相較傳統封裝的40-120%大幅提升，散熱效果顯著優化。

如附圖二所示，智威科技的「型式一封裝」已解決兩面散熱問題，「型式二封裝」則透過優化連接Pad，大幅提升性能與可靠度。該技術除整合複雜高頻特性設計外，更導入最新材料，最終實現性能突破。

目前，智威科技該系列封裝產品已完成國際大廠認證，證實其散熱效果遠優於現有所有封裝技術，甚至突破長期以來無法通過的車用溫度測試。未來，產品將廣泛應用於車用、伺服器電源等高可靠度要求的高成長性市場。

鍾鵬宇指出，智威科技以該特殊高散熱疊層封裝技術為核心，持續拓展新應用，並透過合作夥伴為電子業發展提供貢獻，目前已有多項成熟應用落地：鋁電解固態疊層式電容：已順利量產，月產量達500萬顆，且正積極擴廠；AI晶片周邊電容解決方案：憑藉單位體積超高容值設計，解決AI晶片周邊空間問題，其中820uF規格（現市場主力規格為470/560uF）已導入客戶應用並量產出貨；全球獨創規格：1,000uF規格電容已正式推出，正進入客戶測試認證階段，這也是新型功率半導體的決勝關鍵。

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