DB HiTek650V氮化HEMT工客支持

- 助力人工智能中心、器人等域高效化小型化的技
- 氮化多目晶目於10月底推出
- BCD工技拓展至氮化、碳化硅等化合物半域

首2025年9月11日 /美通社/ -- 全球先的8英寸特色晶代工DB HiTek今日宣布，其下一代功率半平台 -- 650V增型氮化高子移率晶管(GaN HEMT)工已入最段。公司於10月底推出氮化多目晶(MPW)目。

硅基功率器件相比，氮化半在高、高及高工作境下具卓越性能，功率效率出。特是650V增型氮化HEMT，借其高速性能健的行定性，成汽充施、超大模中心源系及先5G的理想。

早在2022年化合物半市初形，DB HiTek便氮化碳化硅立核心增引擎，持加大工研投入。公司言人表示：「DB HiTek借全球首款0.18微米BCDMOS工等成就，已在硅基功率半域得可。通新增氮化工能力，我以更泛的技合增市力。」

完成650V氮化HEMT工後，DB HiTek在2026年底前推出200V氮化工及集成路化的650V氮化工。未公司根市需求和客要求，氮化平台拓展至更泛的范。

支持些措，DB HiTek正在建位於忠清北道的Fab2室施。此次建每月新增3.5片8英寸晶能，支持氮化、BCDMOS和碳化硅工的生。建完成後，DB HiTek的晶月能提升23%，15.4片增至19片。

此同，DB HiTek加於9月15日至18日在釜山BEXCO行的2025年碳化硅及相材料（The International Conference on Silicon Carbide and Related Materials，「ICSCRM」）。在此次全球行上，DB HiTek重展示碳化硅工展，同展示其氮化和BCDMOS技，客及行袖展深度交流。