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聯電推55奈米BCD平台 搶攻電子、車用電源

記者林汪靜/台北報導
▲聯電今(22)日宣布推出全新的55奈米BCD平台,為下世代行動裝置、消費性電子、車用與工業應用實現更高的電源效率與系統整合。(圖/路透社/達志影像)
▲聯電今(22)日宣布推出全新的55奈米BCD平台,為下世代行動裝置、消費性電子、車用與工業應用實現更高的電源效率與系統整合。(圖/路透社/達志影像)

[NOWnews今日新聞] 晶圓代工廠聯華電子今(22)日宣布推出全新的55奈米BCD (Bipolar-CMOS-DMOS)平台,為下世代行動裝置、消費性電子、車用與工業應用實現更高的電源效率與系統整合,平台搶攻電子產品日益複雜的電源管理需求而設計,實現更小的晶片面積、更低的功耗與卓越的抗雜訊表現,賦予電源電路設計更高的靈活度與可靠性。

聯電全新的55奈米BCD平台提供多元化電源IC應用的解決方案,以滿足不同應用領域對效能與可靠度的需求。

非磊晶(Non-EPI)製程:具備獨特元件架構的高性價比方案,為行動及消費性裝置提供優異的電源效率與性能。

磊晶(EPI)製程:符合最嚴格的車規AEC-Q100 Grade 0標準,支援高達150V操作電壓,提升在極端環境下車用電子的可靠性。

絕緣層上覆矽(SOI)製程:具備卓越的抗雜訊特性、高速運作與超低漏電性能,非常適合高階車用與工業使用。

聯電技術研發副總經理徐世杰表示,55奈米BCD平台的推出,象徵聯電在BCD技術布局上的重要里程碑,更進一步完善聯電的特殊製程產品組合,強化在電源管理市場的競爭優勢。

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徐世杰指出,雖然55奈米BCD製程已在市場上量產多年,聯電推出全新且全面的55奈米BCD解決方案,具備卓越的元件特性,協助客戶打造創新電源解決方案,應用範圍涵蓋智慧型手機、穿戴式裝置、車用、智慧家庭與智慧工廠等領域。

聯電表示,已建構業界最完整且成熟的BCD技術組合,製程節點橫跨0.35微米、0.25微米、0.18微米、0.11微米乃至55奈米,提供具差異化的解決方案,憑藉著能提供廣泛的電壓需求、豐富的IP資源與完善的設計支援,加速客戶產品開發時程,強化在智慧電源與混合訊號市場的競爭力,持續與客戶共同實現長期雙贏成長。

▲聯電55奈米BCD平台的多元應用。(圖╱聯電提供)
▲聯電55奈米BCD平台的多元應用。(圖╱聯電提供)

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