艾司摩新一代EUV高 台未入手、先望

商媒｜者任／合外

合外，台今年正式接受客下2奈米程，科在第四季完成首2奈米晶片的定案（tape-out）；然而，台一步向1.4奈米（A14）程所需的，也就是艾司摩（ASML）的高值孔（High-NA）EUV曝光，目前仍因高而令台定「停看」。

《路透》分析，艾司摩最新一代高NA EUV台高4美元，乎是目前台所使用最昂EUV的倍；然是突破1.5奈米程的技，但台深副裁坦言，目前「烈的商」需立即投入，公司向延既有EUV台的使用，源集中在段已成熟化的2奈米量化。

台最快於2028年入1.4奈米量段，程可望高30%的功耗下降晶密度升，技度高於目前主流的FinFET架，可能向GAA（）。了成更微的解析度，用NA高0.55的新一代EUV已成大逐重。

相之下，南三星子展烈企心，指出，言三星已建布局1奈米程，在2029年入量，先下ASML首批High-NA。ASML也透露，到目前止，全世界只有五台High-NA EUV正式售出。

分析指出，台在技路上保守，但其程良率定性年持全球先。去即便未先入最新，仍可透工力持先幅度。外界研判，若未手透High-NA在程拉近差距，台必重新估入。

此外，台近期繁Google、果等客接洽晶片代工合作，市出Google高日前赴台南，台洽未五年Pixel手Tensor晶片合作，示先程仍科技巨擘高度依源。短期，台持以有EUV深化2奈米平台用，察全球晶片供高程的成本接受度能奏。