造EUV光刻機原型 路透曝中國版曼哈頓計劃

[NOWnews今日新聞] 近年美中貿易戰、科技戰開打，美國多次針對中國祭出口限制，企圖防止頂尖半導體技術及產品輸中；然而，有外媒引述知情人士透露，今年年初，中國的科學家已在深圳一家秘密實驗室裡，製造出了華府多年來一直想阻止中國取得的東西：一台能夠生產尖端半導體晶片的極紫外光（EUV）光刻機原型。

根據《路透社》報導，這項秘密工程項目被形容為「中國版曼哈頓計劃」（二戰時美國秘密研製原子彈的歷史），凸顯中國意在AI晶片技術領域與西方匹敵。這台EUV光刻機由荷蘭晶片設備製造商ASML的前工程師，以逆向工程的方式打造。目前，中國的原型機已能成功產生EUV光，但尚未產出能運作的晶片。

報導指出，這項計劃是在中國國家半導體的戰略框架下運作，由高層、習近平親信丁薛祥領導監督，華為扮演關鍵角色，負責協調一個由國家科研院所、供應商和工程團隊組成的網路，涉及數千名工作人員，若中國真能生產尖端半導體晶片，這些晶片將為AI、智慧型手機以及現代武器系統提供動力。

據了解招募情況的人士透露，有從ASML被招募到該項目的資深中國工程師發現，豐厚的簽約獎金還附帶一張以假名簽發的身份證，他也認出廠房裡有其他幾位ASML的前同事，他們都使用化名工作。有2名仍在ASML的華裔員工也證實，至少從2020年起，他們就一直被華為招募部接觸。

所謂的EUV光刻機，是全球晶片競賽最精密的製程之一，也是這場「科技冷戰」的核心，利用極紫外光在矽晶圓上刻出超精細電路，從而生產高端晶片。這項技術之前一直被西方供應商壟斷，而中國的最終目標則是使用完全國產的設備，生產先進晶片，從而擺脫對美國及其盟友供應鏈的依賴。

今年4月，ASML執行長富凱（Christophe Fouquet）曾表示，中國需要「很多年」才能研發出這樣的技術，但從這篇報導來看，中國在實現半導體自主方面，可能比分析師預期的要快得多。然而，中國仍面臨重大的技術挑戰，尤其是在複製西方供應商生產的精密光學系統方面，中國政府的目標是在2028年實現晶片生產，但從進度看來，可能要到2030年才有望落實。

分析認為，這項突破標誌著中國政府實現半導體自給自足的重要成果，這也是習近平的首要任務之一。知情人士透露，雖然中國的半導體發展目標已公開，但深圳的EUV計畫卻一直秘密進行。

對此，ASML則透過聲明回應，其它公司想要複製技術是可以理解的，但並非易事，他們也嚴密保護自家商業機密資訊，但報導提醒，歐洲隱私權法規限制了ASML追蹤前員工的能力，保密協議的跨境執行有其困難度，目前也不知ASML是否已經對參與中國此項目的前員工採取法律行動。

原文連結：Exclusive: How China built its ‘Manhattan Project’ to rival the West in AI chips

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