大陸HBM指標企業長鑫存儲傳赴上海IPO 估值420億美元
大陸高頻寬記憶體（HBM）指標企業長鑫存儲據傳計畫最快於2026年第一季在上海啟動首次公開募股（IPO），目標估值最高可達人民幣（下同）3,000億元（約421.2億美元），招股書最快11月披露。
新浪財經報導，長鑫存儲成立於2016 年，背後有政府支持，是中國在全球DRAM市場搶佔一席之地的核心力量。為追趕韓國SK海力士（SK Hynix）、三星（Samsung）等市場龍頭，長鑫存儲正投入重金，尤其在高頻寬記憶體（HBM）領域加大研發與產能建置力道。
兩位消息人士表示，身為中國領先的DRAM製造商，長鑫存儲此IPO計畫募集200億至400億元。第三位消息人士指出，該公司目標募資額約為300億元，最快可能在11月向投資者披露招股說明書。
2024年12月，美國為限制中國人工智慧產業發展，限制長鑫存儲取得HBM晶片後，長鑫存儲的技術突破與產能擴張，對中國而言變得十分關鍵。
長鑫存儲選擇此時推進IPO，也正值儲存市場發生重大變化之際。路透稍早報導，美國記憶體晶片製造商美光計劃退出中國伺服器記憶體業務。兩年前，中國政府以安全為由，禁止美光產品進入關鍵資訊基礎設施領域。
目前，長鑫存儲正在上海（中國商業中心）建造一座HBM後端封裝工廠，目標是在明年年底前投產。第三位和第四位知情消息人士透露，該廠HBM晶圓的初始月產能約為3萬片，略低於韓國SK海力士產能的五分之一。
兩位消息人士表示，長鑫存儲計畫在2026年實現第四代高頻寬記憶體（即HBM3晶片）的生產。
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中央社財經 ・ 1 天前