中芯中自首款DUV曝光 拚突破西方封

外媒，中晶代工中芯正在由上海新公司「宇量」生的深紫外光曝光（DUV）。一旦成功，中在突破美晶片出口管制、降低西方技依，以及大先人工智慧晶片能上取得重大利。

英金融今天，知情人士，中芯正在一款28奈米自DUV，利用所「多重案化」（multi-patterning）技生7奈米晶片。，台用了荷艾司摩（ASML）相似的「浸式」技。

其中一名知情人士透露，中芯初步果相，但目前尚不清楚曝光何能投入量。指出，通常新款DUV至少需要1年，且多次整，才具量件。

目前中芯其他中晶片造商主要依靠艾司摩生的DUV，但受美出口管制影，近年新台的取得受限，只能使用在美管制前入、或海外二手市取得的DUV。

研中晶片的伯恩斯坦高分析林元（Qingyuan Lin，音）表示，若成功，中企是重要一步，未能以此突破作基，研更先的台。

不，中仍法取得最先程所需的紫外光曝光（EUV）。是生（NVIDIA）等最先晶片的，而艾司摩被禁止向中出售EUV。EUV仍是中追等行的最大瓶。

同指出，知情人士透露，上海新公司「宇量」的股之一「深圳新技有限公司」正在投入EUV，但仍於早期段。EUV的部代「珠穆朗峰」（母峰）。

林元，原型到能量，艾司摩，仍需年。