台科研重大突破！ 首二材料超薄新代

▲在二材料的出新生代航，左到右成大翁翔博士、林臻佑博士生、何竹博士，此研究由3位年科研人才主完成突破。(／中心提供)

【者蔚舟/竹科】
在家科及技委教育部的期支持下，由法人家同步射研究中心(中心)、立成功大淡江大所成的研究，於4月16日在尖期刊《先材料》（Advanced Materials）表重要研究成果。首度在石墨烯上成功堆出「具有性的超薄六方氮化硼（h-BN）薄膜」，其能定地切性，超小型、高效率子元件的展全新可能，也台在全球高度的二材料域下新的里程碑。

▲中心空照(上方小台光源、下方大台光子源)。(／中心提供)

所「性」，就像材料部具有一可自由切的性，能精控制流流向，尤其合用於、感器及低功耗算置。然而，的材料通常具有大的厚度，以一步微型化。此次研究突破性地性於原子厚度的二材料h-BN（又「白色石墨」），材料具石墨烯相似的超薄和高定性，因其天然的晶而以自生性。

成大忠霖教授透多年努力，用「助分子束磊晶技（MBE）」，在碳化矽晶片上先成高品晶石墨烯，再於其上逐精堆h-BN，藉由在介面自然形成的摩（Moiré Pattern），出具非且可透切堆的化。技不突破了久以的技瓶，更了晶尺寸的充性高度的定性。

中心澄懋研究表示，用中心的台光源（Taiwan Light Source, TLS）行角解析光子能（ARPES）量，清楚到不同h-BN石墨烯中的能化，而淡江大薛宏中教授的理算一步了非堆的存在特徵。成大宜君教授更一步，此次出的超薄h-BN薄膜不能定控制性，在的元件架下，亦能展清晰的特性，可望用於超高速、低功耗的矩向量算，成次世代及AI晶片的重要基。此外，由於h-BN石墨烯、二硫化（MoS）等其他二材料具高度相容性，未可透堆式晶片的，推台半及光的重大技革新。

值得特一提的，文第一作者翁翔博士自博士班期即得中心的博士生金支持，全心投入尖端材料研究，充分用中心富的光源施先技平台。此次研究成果即是他多年耕耘跨域合作的集大成之，彰台年物理研究人才於科研舞台的亮眼表。