Gate Voltage
释义 Definition
栅极电压：在场效应管（如 MOSFET）中，加在栅极（Gate）与源极（Source）之间的电压（常记为 V_GS），用来控制器件沟道的导通程度与电流大小；当栅极电压超过阈值电压（threshold voltage）时，器件通常开始显著导通。（在不同器件与电路语境中，也可能泛指“施加在栅极端子的控制电压”。）
发音 Pronunciation (IPA)
/et voltd/
/et vltd/
例句 Examples
The gate voltage turns the MOSFET on.
栅极电压会把 MOSFET 打开（导通）。
As temperature rises, the threshold shifts, so the same gate voltage produces a different drain current.
温度升高时阈值会发生漂移，因此相同的栅极电压会产生不同的漏极电流。
词源 Etymology
gate 原义为“门、闸门”，在电子学里借用为“像门一样控制通断的端子/控制端”，因此 MOSFET 的控制端被称为 gate（栅极）；voltage 来自 volt（伏特，电压单位）加后缀 -age 表示“状态/量”，合起来 gate voltage 就是“栅极上的控制电压”。
相关词 Related Words
文献与作品 Literary / Notable Works
- Microelectronic Circuits（Sedra & Smith，《微电子电路》）：讨论 MOSFET 的 gate voltage / V_GS 与工作区、传输特性关系。
- Physics of Semiconductor Devices（S. M. Sze & Kwok K. Ng，《半导体器件物理》）：在 MOS 结构与沟道形成机理中频繁使用 gate voltage。
- CMOS VLSI Design: A Circuits and Systems Perspective（Weste & Harris，《CMOS 超大规模集成电路设计》）：以 gate voltage 分析 CMOS 反相器与逻辑门的开关行为。
- IEEE 期刊论文（如 IEEE Journal of Solid-State Circuits, IEEE Transactions on Electron Devices）：常用 gate voltage 表述器件偏置条件、可靠性（如热载流子、栅氧应力）与特性曲线测量方法。
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