栅电容：在晶体管（尤其是 MOSFET）中，栅极（gate）与沟道/源漏及衬底等区域之间形成的等效电容。它会影响器件的开关速度、输入负载、功耗与频率响应。在电路中常被视为驱动端需要充放电的电容负载。（在不同工作区与结构下，栅电容可细分为 \(C_{gs}\)、\(C_{gd}\)、\(C_{gb}\) 等分量。）
/et kpstns/
The gate capacitance affects how fast the transistor can switch.
栅电容会影响晶体管开关的速度。
In high-speed CMOS design, engineers minimize gate capacitance to reduce delay and dynamic power consumption.
在高速 CMOS 设计中，工程师会尽量减小栅电容，以降低延迟和动态功耗。
gate 源自古英语 geat（“门、入口”），在电子学中引申为“控制电流通断的端/极”。capacitance 来自 capacity（源于拉丁语 capax，意为“能容纳的”）加后缀 -ance，表示“电容（性质/量）”。合起来 gate capacitace 就是“栅极相关的电容”。
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